- Hersteller :
- Package / Case :
- Maximum Operating Temperature :
- Pd - Power Dissipation :
- Configuration :
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max :
- Collector-Emitter Saturation Voltage :
- Ausgewählter Filter :
5 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Product | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
Ein Angebot |
5
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.2KV 370A | IGBT Silicon Modules | 62 mm | + 125 C | Single | 1200 V | 370 A | ||||||
|
Ein Angebot |
10
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.2KV 370A | IGBT Silicon Modules | Econo D | + 125 C | Dual | 1200 V | 370 A | ||||||
|
siehe | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200V 200A SINGLE | IGBT Silicon Modules | 62 mm | + 125 C | 1450 W | Single Dual Emitter | 1200 V | 2.1 V | 370 A | 400 nA | ||||
|
siehe | Vishay | IGBT Modules Output & SW Modules - DIAP IGBT | INT-A-PAK | + 150 C | 1.562 kW | 1.2 kV | 2.07 V | 370 A | 400 nA | ||||||
|
siehe | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200V 200A SINGLE | IGBT Silicon Modules | 62 mm | + 125 C | 1450 W | Single Dual Emitter | 1200 V | 2.1 V | 370 A | 400 nA |
1 / 1 Seite