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Maximum Operating Temperature :
Pd - Power Dissipation :
Collector- Emitter Voltage VCEO Max :
Collector-Emitter Saturation Voltage :
5 Produkt
Bild Modell Preis Anzahl Lager Hersteller Beschreibung Product Package / Case Maximum Operating Temperature Pd - Power Dissipation Configuration Collector- Emitter Voltage VCEO Max Collector-Emitter Saturation Voltage Continuous Collector Current at 25 C Gate-Emitter Leakage Current
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1+
$47.2400
5+
$46.3120
10+
$44.1560
25+
$43.2280
Ein Angebot
RFQ
5
Verfügbar auf Lager
Infineon Technologies IGBT Modules N-CH 1.2KV 370A IGBT Silicon Modules 62 mm + 125 C   Single 1200 V   370 A  
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1+
$60.5720
5+
$59.1160
10+
$57.6480
25+
$56.8400
Ein Angebot
RFQ
10
Verfügbar auf Lager
Infineon Technologies IGBT Modules N-CH 1.2KV 370A IGBT Silicon Modules Econo D + 125 C   Dual 1200 V   370 A  
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1+
$46.2920
5+
$45.3840
10+
$43.2680
25+
$42.3600
siehe
RFQ
Infineon Technologies IGBT Modules 1200V 200A SINGLE IGBT Silicon Modules 62 mm + 125 C 1450 W Single Dual Emitter 1200 V 2.1 V 370 A 400 nA
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12+
$142.6560
siehe
RFQ
Vishay IGBT Modules Output & SW Modules - DIAP IGBT   INT-A-PAK + 150 C 1.562 kW   1.2 kV 2.07 V 370 A 400 nA
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10+
$43.2680
30+
$42.3600
100+
$40.2400
siehe
RFQ
Infineon Technologies IGBT Modules 1200V 200A SINGLE IGBT Silicon Modules 62 mm + 125 C 1450 W Single Dual Emitter 1200 V 2.1 V 370 A 400 nA