- Hersteller :
- Maximum Operating Temperature :
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max :
- Collector-Emitter Saturation Voltage :
- Gate-Emitter Leakage Current :
- Ausgewählter Filter :
14 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Product | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
Ein Angebot |
90
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | IGBT Modules EASY | IGBT Silicon Modules | EasyPack1B | + 150 C | 205 W | Single | 650 V | 1.7 V | 70 A | 400 nA | ||||
|
Ein Angebot |
12
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.2KV 70A | IGBT Silicon Modules | Econo 2 | + 125 C | 355 W | Quad | 1200 V | 3.75 V | 70 A | 400 nA | ||||
|
Ein Angebot |
10
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 600V 70A | IGBT Silicon Modules | EASY1B | + 150 C | Bulk | Hex | 600 V | 70 A | ||||||
|
Ein Angebot |
12
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 600V 70A | IGBT Silicon Modules | Econo 2 | + 150 C | Bulk | Hex | 600 V | 70 A | ||||||
|
Ein Angebot |
5
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT Module 50A 600V | IGBT Silicon Modules | Module | + 150 C | 205 W | IGBT-Inverter | 600 V | 1.45 V | 70 A | 400 nA | ||||
|
siehe | IXYS | IGBT Modules High Frequency Range 40khz C-IGBT w/Diode | IGBT Silicon Modules | TO-247AD-3 | + 150 C | Tube | Single | 1.2 kV | 2.2 V | 70 A | +/- 100 nA | |||||
|
siehe | Infineon Technologies | IGBT Modules 600V 50A PIM | IGBT Silicon Modules | EconoPIM3 | + 125 C | 250 W | Hex | 600 V | 2.2 V | 70 A | 300 nA | |||||
|
siehe | Infineon Technologies | IGBT Modules | IGBT Silicon Modules | EasyPack1B | + 150 C | Tray | 205 W | Single | 650 V | 1.7 V | 70 A | 400 nA | ||||
|
siehe | Microsemi | IGBT Modules Power Module - IGBT | IGBT Silicon Modules | SP6-P | + 100 C | 310 W | Triple Dual Common Source | 1.7 kV | 2 V | 70 A | 400 nA | |||||
|
siehe | Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.2KV 70A | IGBT Silicon Modules | EconoPACK 2A | + 125 C | Reel | 280 W | Hex | 1200 V | 2.1 V | 70 A | 400 nA | ||||
|
siehe | Infineon Technologies | IGBT Modules 600V 50A PIM | IGBT Silicon Modules | EconoPIM2 | + 125 C | 250 W | Hex | 600 V | 2.2 V | 70 A | 300 nA | |||||
|
Ein Angebot |
50
Verfügbar auf Lager
|
Microsemi | IGBT Modules Power Module - IGBT | IGBT Silicon Modules | SP-3 | + 150 C | 312 W | Dual | 1.2 kV | 3.2 V | 70 A | 100 nA | ||||
|
Ein Angebot |
48
Verfügbar auf Lager
|
Microsemi | IGBT Modules Power Module - IGBT | IGBT Silicon Modules | SP3-32 | + 150 C | 312 W | Asymmetrical Bridge | 1.2 kV | 3.2 V | 70 A | 100 nA | ||||
|
siehe | Infineon Technologies | IGBT Modules 600V 50A 3-PHASE | IGBT Silicon Modules | EconoPACK 2A | + 125 C | 250 W | Hex | 600 V | 2.2 V | 70 A | 400 nA |
1 / 1 Seite