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Maximum Operating Temperature :
Configuration :
Collector- Emitter Voltage VCEO Max :
Collector-Emitter Saturation Voltage :
Gate-Emitter Leakage Current :
10 Produkt
Bild Modell Preis Anzahl Lager Hersteller Beschreibung Product Package / Case Maximum Operating Temperature Pd - Power Dissipation Configuration Collector- Emitter Voltage VCEO Max Collector-Emitter Saturation Voltage Continuous Collector Current at 25 C Gate-Emitter Leakage Current
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50+
$155.9200
siehe
RFQ
Microsemi IGBT Modules Power Module - IGBT IGBT Silicon Modules LP8 + 85 C 1.5 kW Dual 1.2 kV 1.85 V 420 A  
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50+
$86.2280
siehe
RFQ
Microsemi IGBT Modules Power Module - IGBT IGBT Silicon Modules SP6 + 100 C 1.38 kW Dual 1.2 kV 1.7 V 420 A 600 nA
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50+
$86.2280
siehe
RFQ
Microsemi IGBT Modules Power Module - IGBT IGBT Silicon Modules SP6 + 100 C 1.38 kW Dual 1.2 kV 1.7 V 420 A 600 nA
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50+
$58.5440
siehe
RFQ
Microsemi IGBT Modules Power Module - IGBT IGBT Silicon Modules SP6 + 100 C 1.38 kW Single 1.2 kV 1.7 V 420 A 600 nA
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50+
$58.5440
siehe
RFQ
Microsemi IGBT Modules Power Module - IGBT IGBT Silicon Modules SP6 + 100 C 1.38 kW Single 1.2 kV 1.7 V 420 A 600 nA
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50+
$55.5840
siehe
RFQ
Microsemi IGBT Modules Power Module - IGBT IGBT Silicon Modules D3-11 + 125 C 1.5 kW Single 1.2 kV 1.8 V 420 A 400 nA
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50+
$83.2040
siehe
RFQ
Microsemi IGBT Modules Power Module - IGBT IGBT Silicon Modules D3-11 + 125 C 1.5 kW Dual 1.2 kV 1.8 V 420 A 400 nA
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50+
$55.5840
siehe
RFQ
Microsemi IGBT Modules Power Module - IGBT IGBT Silicon Modules D3-11 + 125 C 1.5 kW Single 1.2 kV 1.8 V 420 A 400 nA
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12+
$142.6560
siehe
RFQ
Vishay IGBT Modules Output & SW Modules - DIAP IGBT   INT-A-PAK + 150 C 1.562 kW   1.2 kV 1.8 V 420 A 400 nA
BSM200GB120DLC
10+
$59.7800
30+
$58.9400
siehe
RFQ
Infineon Technologies IGBT Modules 1200V 200A DUAL IGBT Silicon Modules 62 mm + 125 C 1550 W Dual 1200 V 2.1 V 420 A 400 nA