- Hersteller :
- Package / Case :
- Configuration :
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max :
- Gate-Emitter Leakage Current :
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3 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Product | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | |
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Ein Angebot |
112
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Modules 1700V 50A 500W HALF-BRIDGE | IGBT Silicon Modules | Half Bridge1 | + 150 C | 500 W | Half Bridge | 1700 V | 3.4 V | 72 A | 320 nA | ||||
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Ein Angebot |
4
Verfügbar auf Lager
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IXYS | IGBT Modules 50 Amps 600V | IGBT Silicon Modules | E2-12 | + 150 C | Bulk | 225 W | Quad | 600 V | 600 V | 72 A | 200 nA | |||
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siehe | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200V 50A FL BRIDGE | IGBT Silicon Modules | EconoPACK 2A | + 150 C | 350 W | Hex | 1200 V | 2.5 V | 72 A | 200 nA |
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