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- Package / Case :
- Maximum Operating Temperature :
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- Collector- Emitter Voltage VCEO Max :
- Gate-Emitter Leakage Current :
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3 Produkt
| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Product | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | |
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Ein Angebot |
10
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Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.7KV 145A | IGBT Silicon Modules | Econo 3 | + 125 C | Hex | 1700 V | 145 A | ||||||
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Ein Angebot |
8
Verfügbar auf Lager
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IXYS | IGBT Modules Mid-Frequency Range 15khz-40khz w/ Diode | IGBT Silicon Modules | SOT-227B-4 | + 150 C | Tube | Single | 1.2 kV | 2.7 V | 145 A | +/- 200 nA | |||
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siehe | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200V 100A DUAL | IGBT Silicon Modules | Half Bridge1 | + 150 C | 700 W | Half Bridge | 1200 V | 2.5 V | 145 A | 400 nA |
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