- Hersteller :
- Package / Case :
- Maximum Operating Temperature :
- Pd - Power Dissipation :
- Configuration :
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max :
- Collector-Emitter Saturation Voltage :
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5 Produkt
| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Product | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | |
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Ein Angebot |
6
Verfügbar auf Lager
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Littelfuse | IGBT Modules 1200V 100A Dual | IGBT Silicon Modules | Package D | + 150 C | Bulk | 1000 W | Dual | 1200 V | 1.8 V | 160 A | 400 nA | ||
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Ein Angebot |
6
Verfügbar auf Lager
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IXYS | IGBT Modules 145 Amps 1200V | IGBT Silicon Modules | Y4-M5-7 | + 125 C | Bulk | 700 W | Single | 1.2 kV | 1.2 kV | 160 A | 400 nA | ||
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Ein Angebot |
4
Verfügbar auf Lager
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IXYS | IGBT Modules 145 Amps 1200V | IGBT Silicon Modules | Y4-M5-7 | + 125 C | Bulk | 700 W | Single | 1.2 kV | 1.2 kV | 160 A | 400 nA | ||
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siehe | Vishay | IGBT Modules Output & SW Modules - IAP IGBT | INT-A-PAK | + 175 C | 417 W | Half Bridge | 600 V | 1.65 V | 160 A | 400 nA | |||||
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siehe | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200V 100A 3-PHASE | IGBT Silicon Modules | EconoPACK 3A | + 125 C | 650 W | Hex | 1200 V | 2.1 V | 160 A | 400 nA |
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