- Hersteller :
- Package / Case :
- Pd - Power Dissipation :
- Configuration :
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max :
- Collector-Emitter Saturation Voltage :
- Gate-Emitter Leakage Current :
- Ausgewählter Filter :
8 Produkt
| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Product | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
Ein Angebot |
1,236
Verfügbar auf Lager
|
Infineon / IR | IGBT Modules 600V 12A | D-PAK-3 | + 150 C | Reel | Single | 600 V | 22 A | ||||||
|
|
Ein Angebot |
2
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 600V 22A | IGBT Silicon Modules | EASY1B | + 150 C | Tray | 81 W | Array 7 | 600 V | 2 V | 22 A | 400 nA | ||
|
|
Ein Angebot |
11
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT-MODULE | IGBT Silicon Modules | Module | + 150 C | 65 W | IGBT-Inverter | 600 V | 1.55 V | 22 A | 400 nA | |||
|
|
Ein Angebot |
76
Verfügbar auf Lager
|
IXYS | IGBT Modules GenX3 1200V IGBTs | IGBT Silicon Modules | TO-220AB-3 | + 150 C | Tube | Single | 1.2 kV | 2.4 V | 22 A | +/- 100 nA | |||
|
|
|
Ein Angebot |
14
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 600V 22A | IGBT Silicon Modules | EASY1 | + 150 C | Hex | 600 V | 22 A | ||||||
|
|
siehe | IXYS | IGBT Modules GenX3 1200V IGBTs | IGBT Silicon Modules | TO-247-3 | + 150 C | Tube | Single | 1.2 kV | 2.4 V | 22 A | +/- 100 nA | ||||
|
|
|
siehe | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT DISCRETES | D-PAK-3 | + 150 C | Reel | Single | 600 V | 22 A | |||||||
|
|
siehe | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT 600V 15A | IGBT Silicon Modules | Module | + 150 C | 71.5 W | IGBT-Inverter | 600 V | 1.55 V | 22 A | 400 nA |
1 / 1 Seite
