- Package / Case :
- Pd - Power Dissipation :
- Configuration :
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max :
- Continuous Collector Current at 25 C :
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| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Product | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | |
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siehe | Infineon Technologies | IGBT Modules 3300V 200A DUAL | IHM 73X140-8 | + 125 C | 2.2 kW | Dual | 3300 V | 3.4 V | 330 A | 400 nA | ||||
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siehe | Infineon Technologies | IGBT Modules 3300V 1200A SINGLE | IS5a ( 62 mm )-9 | + 125 C | 14.5 kW | Triple Common Emitter Common Gate | 3300 V | 3.4 V | 2000 A | 400 nA | ||||
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siehe | Infineon Technologies | IGBT Modules 3300V 800A CHOPPER | IGBT Silicon Modules | IHM190 | + 125 C | 9.6 kW | Dual | 3300 V | 3.4 V | 1300 A | 400 nA | |||
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siehe | Infineon Technologies | IGBT Modules 3300V 400A CHOPPER | IHM 130X140-7 | + 125 C | 4.8 kW | Single | 330 V | 3.4 V | 400 A | 400 nA | ||||
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siehe | Infineon Technologies | IGBT Modules 3300V 800A SINGLE | IGBT Silicon Modules | IHM | + 125 C | 9.6 kW | Single | 3300 V | 3.4 V | 1300 A | 400 nA | |||
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siehe | Infineon Technologies | IGBT Modules 3300V 400A DUAL | IGBT Silicon Modules | IHM | + 125 C | 4.8 kW | Dual | 3300 V | 3.4 V | 660 A | 400 nA |
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