- Hersteller :
- Package / Case :
- Maximum Operating Temperature :
- Configuration :
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max :
- Gate-Emitter Leakage Current :
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7 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Product | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | |
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Ein Angebot |
49
Verfügbar auf Lager
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IXYS | IGBT Modules 900V 70A 2.7V XPT IGBTs GenX3 w/ Diode | IGBT Silicon Modules | SOT-227 | + 150 C | Tube | Single | 900 V | 2.7 V | 115 A | 100 nA | ||||
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Ein Angebot |
8
Verfügbar auf Lager
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IXYS | IGBT Modules Mid-Frequency Range 15khz-40khz w/ Diode | IGBT Silicon Modules | SOT-227B-4 | + 150 C | Tube | Single | 1.2 kV | 2.7 V | 145 A | +/- 200 nA | ||||
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Ein Angebot |
4
Verfügbar auf Lager
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IXYS | IGBT Modules GenX3 1200V IGBTs | IGBT Silicon Modules | TO-263-3 | + 150 C | Tube | Single | 1.2 kV | 2.7 V | 36 A | +/- 100 nA | ||||
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Ein Angebot |
2
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.2KV 15A | IGBT Silicon Modules | EconoPACK 2 | + 150 C | Tray | 80 W | Hex | 1200 V | 2.7 V | 15 A | 120 nA | |||
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Ein Angebot |
8
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.2KV 50A | IGBT Silicon Modules | EconoPACK 2 | + 150 C | Bulk | 280 W | Hex | 1200 V | 2.7 V | 50 A | 150 nA | |||
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siehe | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200V 800A DUAL | IGBT Silicon Modules | IHM | + 125 C | 5 kW | Dual | 1200 V | 2.7 V | 800 A | 400 nA | |||||
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siehe | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200V 10A FL BRIDGE | IGBT Silicon Modules | EconoPACK 2 | + 150 C | Bulk | 80 W | Hex | 1200 V | 2.7 V | 15 A | 120 nA |
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