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2 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Product | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | |
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Ein Angebot |
14
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Infineon Technologies | IGBT Modules | IGBT Silicon Modules | EasyPack2B | + 150 C | 250 W | Bridge | 650 V | 1.35 V | 75 A | 100 nA | ||||
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23
Verfügbar auf Lager
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IXYS | IGBT Modules GenX3 600V IGBTs | IGBT Silicon Modules | TO-268-3 | + 150 C | Bulk | Single | 600 V | 1.35 V | 75 A | +/- 100 nA |
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