- Hersteller :
- Package / Case :
- Maximum Operating Temperature :
- Pd - Power Dissipation :
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max :
- Continuous Collector Current at 25 C :
- Gate-Emitter Leakage Current :
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16 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Product | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | |
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Ein Angebot |
3
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.7KV 1.3KA | IGBT Silicon Modules | IHM | + 125 C | 6.25 W | Dual | 1700 V | 2.6 V | 1300 A | 400 nA | ||||
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Ein Angebot |
3
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.7KV 2.6KA | IGBT Silicon Modules | IHM | + 125 C | Bulk | 12.5 kW | Dual Common Emitter Common Gate | 1700 V | 2.6 V | 2600 A | 400 nA | |||
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Ein Angebot |
187
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | IGBT Modules IGBT & Power Bipolar | IGBT Silicon Modules | NDIP-26L | + 150 C | Bulk | 8 W | 3-Phase Inverter | 600 V | 2.6 V | 3 A | ||||
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Ein Angebot |
8
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Modules 1700V 400A SINGLE | IGBT Silicon Modules | 62 mm | + 125 C | 3.12 kW | Single Dual Emitter | 1700 V | 2.6 V | 800 A | 200 nA | ||||
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Ein Angebot |
2
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.7KV 1.3KA | IGBT Silicon Modules | IHM73 | + 125 C | 6.25 kW | Single | 1700 V | 2.6 V | 1300 A | 400 nA | ||||
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Ein Angebot |
3
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.7KV 1.95KA | IGBT Silicon Modules | IHM130 | + 125 C | 9.6 kW | Dual Common Emitter Common Gate | 1700 V | 2.6 V | 1950 A | 400 nA | ||||
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Ein Angebot |
4
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.7KV 975A | IGBT Silicon Modules | IHM | + 125 C | 4.8 kW | Dual | 1700 V | 2.6 V | 975 A | 400 nA | ||||
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siehe | IXYS | IGBT Modules High Frequency Range 40khz C-IGBT w/Diode | IGBT Silicon Modules | TO-264-3 | + 150 C | Tube | Single | 1.2 kV | 2.6 V | 95 A | +/- 100 nA | |||||
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siehe | IXYS | IGBT Modules High Frequency Range 40khz C-IGBT w/Diode | IGBT Silicon Modules | PLUS247-3 | + 150 C | Single | 1.2 kV | 2.6 V | 95 A | +/- 100 nA | ||||||
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siehe | Infineon Technologies | IGBT Modules 1700V 100A DUAL | IGBT Silicon Modules | 62 mm | + 125 C | 960 W | Dual | 1700 V | 2.6 V | 200 A | 200 nA | |||||
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siehe | Infineon Technologies | IGBT Modules 1700V 150A DUAL | IGBT Silicon Modules | 62 mm | + 125 C | 1.25 kW | Dual | 1700 V | 2.6 V | 300 A | 200 nA | |||||
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siehe | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200V 300A SINGLE | IGBT Silicon Modules | 62 mm | + 125 C | 2250 W | Single Dual Emitter | 1200 V | 2.6 V | 570 A | 400 nA | |||||
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Ein Angebot |
4
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.7KV 650A | IGBT Silicon Modules | IHM | + 125 C | 3.1 kW | Dual | 1700 V | 2.6 V | 650 A | 400 nA | ||||
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Ein Angebot |
4
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.7KV 650A | IGBT Silicon Modules | IHM73 | + 125 C | 3.1 kW | Single | 1700 V | 2.6 V | 650 A | 400 nA | ||||
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siehe | Infineon Technologies | IGBT Modules 1700V 200A DUAL | IGBT Silicon Modules | 62 mm | + 125 C | 1660 W | Dual | 1700 V | 2.6 V | 400 A | 400 nA | |||||
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Ein Angebot |
3
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.7KV 3.8KA | IGBT Silicon Modules | IHM190 | + 125 C | 19.2 kW | Triple Common Emitter Common Gate | 1700 V | 2.6 V | 3800 A | 400 nA |
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