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| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | |
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siehe | Vishay | IGBT Modules Output & SW Modules - DIAP IGBT | INT-A-PAK | + 150 C | 1.147 kW | Half Bridge | 1.2 kV | 3.1 V | 280 A | 400 nA |
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