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| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Product | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | |
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Ein Angebot |
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Fairchild Semiconductor | IGBT Modules 650V 50A 3L inverter High Power Module | IGBT Silicon Modules | F2 | + 150 C | Tray | 135 W, 174 W | 3-Phase | 650 V, 650 V | 2.13 V, 2.49 V | 30 A, 50 A | 2 uA, 2 uA |
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