- Package / Case :
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max :
- Emitter- Base Voltage VEBO :
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6 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Mounting Style | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Configuration | Transistor Polarity | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector- Base Voltage VCBO | Emitter- Base Voltage VEBO | Collector-Emitter Saturation Voltage | Maximum DC Collector Current | Gain Bandwidth Product fT | |
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Ein Angebot |
88
Verfügbar auf Lager
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Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Through Hole | TO-39-3 | + 200 C | Single | NPN | 80 VDC | 100 V | 5.5 VDC | 750 mVDC | 2 A | ||||
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Ein Angebot |
95
Verfügbar auf Lager
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Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Through Hole | TO-39-3 | + 200 C | Single | PNP | 80 VDC | 100 V | 5.5 VDC | 750 mVDC | 2 A | ||||
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Ein Angebot |
3
Verfügbar auf Lager
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Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Through Hole | TO-39-3 | + 200 C | Single | NPN | 80 VDC | 100 V | 5.5 VDC | 750 mVDC | 2 A | ||||
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Ein Angebot |
68
Verfügbar auf Lager
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Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Through Hole | TO-5-3 | + 200 C | Single | PNP | 40 VDC | 40 V | 4 VDC | 750 mVDC | 10 A | ||||
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Ein Angebot |
69
Verfügbar auf Lager
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Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Through Hole | TO-5-3 | + 200 C | Single | PNP | 60 VDC | 60 VDC | 4 VDC | 750 mVDC | 60 MHz | ||||
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Ein Angebot |
20
Verfügbar auf Lager
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Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Through Hole | TO-39-3 | + 200 C | Single | PNP | 80 VDC | 100 V | 5.5 VDC | 750 mVDC | 2 A |
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