- Mounting Style :
- Package / Case :
- Maximum Operating Temperature :
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5 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Mounting Style | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Series | Configuration | Transistor Polarity | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector- Base Voltage VCBO | Emitter- Base Voltage VEBO | Collector-Emitter Saturation Voltage | Maximum DC Collector Current | Gain Bandwidth Product fT | |
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Ein Angebot |
196
Verfügbar auf Lager
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Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT . . | Through Hole | TO-39-3 | + 200 C | 2N5321 | Single | NPN | 50 V | 75 V | 5 V | 800 mV | 2 A | 50 MHz | |||
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Ein Angebot |
1,617
Verfügbar auf Lager
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Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 1000W -32Vceo | SMD/SMT | SOT-89-3 | + 150 C | 2DB11 | Single | PNP | 32 V | 40 V | 6 V | 800 mV | 2 A | 120 MHz | |||
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Ein Angebot |
2,076
Verfügbar auf Lager
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Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 1000W 32Vceo | SMD/SMT | SOT-89-3 | + 150 C | 2DD17 | Single | NPN | 32 V | 40 V | 5 V | 800 mV | 2 A | 220 MHz | |||
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Ein Angebot |
2,149
Verfügbar auf Lager
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Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 1000W 32Vceo | SMD/SMT | SOT-89-3 | + 150 C | 2DD17 | Single | NPN | 32 V | 40 V | 5 V | 800 mV | 2.5 A | 220 MHz | |||
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Ein Angebot |
6
Verfügbar auf Lager
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Analog Devices | Bipolar Transistors - BJT MATCHED MONO DUAL NPN | TO-78-6 | + 125 C | MAT01 | Dual | NPN | 45 V | 45 V | 5 V | 800 mV | 25 mA | 450 MHz |
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