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Maximum Operating Temperature :
Configuration :
Transistor Polarity :
Collector- Emitter Voltage VCEO Max :
Collector- Base Voltage VCBO :
Emitter- Base Voltage VEBO :
Maximum DC Collector Current :
Gain Bandwidth Product fT :
5 Produkt
Bild Modell Preis Anzahl Lager Hersteller Beschreibung Mounting Style Package / Case Maximum Operating Temperature Series Configuration Transistor Polarity Collector- Emitter Voltage VCEO Max Collector- Base Voltage VCBO Emitter- Base Voltage VEBO Collector-Emitter Saturation Voltage Maximum DC Collector Current Gain Bandwidth Product fT
2N5321
1+
$1.0680
10+
$0.9520
100+
$0.8680
250+
$0.7840
Ein Angebot
RFQ
196
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Central Semiconductor Bipolar Transistors - BJT . . Through Hole TO-39-3 + 200 C 2N5321 Single NPN 50 V 75 V 5 V 800 mV 2 A 50 MHz
2DB1188R-13
1+
$0.1600
10+
$0.1300
100+
$0.0796
1000+
$0.0616
2500+
$0.0524
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RFQ
1,617
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Diodes Incorporated Bipolar Transistors - BJT 1000W -32Vceo SMD/SMT SOT-89-3 + 150 C 2DB11 Single PNP 32 V 40 V 6 V 800 mV 2 A 120 MHz
2DD1766P-13
1+
$0.1600
10+
$0.1300
100+
$0.0796
1000+
$0.0616
2500+
$0.0524
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RFQ
2,076
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Diodes Incorporated Bipolar Transistors - BJT 1000W 32Vceo SMD/SMT SOT-89-3 + 150 C 2DD17 Single NPN 32 V 40 V 5 V 800 mV 2 A 220 MHz
2DD1766R-13
1+
$0.1600
10+
$0.1300
100+
$0.0796
1000+
$0.0616
2500+
$0.0524
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RFQ
2,149
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Diodes Incorporated Bipolar Transistors - BJT 1000W 32Vceo SMD/SMT SOT-89-3 + 150 C 2DD17 Single NPN 32 V 40 V 5 V 800 mV 2.5 A 220 MHz
MAT01GH
1+
$7.4320
5+
$7.1800
10+
$6.9240
25+
$6.5920
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RFQ
6
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Analog Devices Bipolar Transistors - BJT MATCHED MONO DUAL NPN   TO-78-6 + 125 C MAT01 Dual NPN 45 V 45 V 5 V 800 mV 25 mA 450 MHz