- Hersteller :
- Package / Case :
- Configuration :
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max :
- Maximum DC Collector Current :
- Gain Bandwidth Product fT :
6 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Mounting Style | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Series | Configuration | Transistor Polarity | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector- Base Voltage VCBO | Emitter- Base Voltage VEBO | Collector-Emitter Saturation Voltage | Maximum DC Collector Current | Gain Bandwidth Product fT | |
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Ein Angebot |
6,751
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Fairchild Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil | SMD/SMT | SOT-23-3 | + 150 C | KSA1182 | Single | PNP | - 30 V | - 35 V | - 5 V | - 0.1 V | 0.5 A | 200 MHz | |||
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Ein Angebot |
3,000
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil | SMD/SMT | SOT-323-3 | + 150 C | FJX1182 | Single | PNP | - 30 V | - 35 V | - 5 V | - 0.1 V | 0.5 A | 200 MHz | |||
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Ein Angebot |
5,149
Verfügbar auf Lager
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Toshiba | Bipolar Transistors - BJT S-MINI PLN TRANSIST Pd=200mW F... | SMD/SMT | TO-236-3 | 2SA1313 | PNP | - 50 V | - 50 V | - 5 V | - 0.1 V | - 500 mA | 200 MHz | |||||
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Ein Angebot |
5,890
Verfügbar auf Lager
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Toshiba | Bipolar Transistors - BJT US6 PLN TRANSISTOR Pd=200mW F=1... | SMD/SMT | US-6 | HN1A01 | PNP | - 50 V | - 50 V | - 5 V | - 0.1 V | - 150 mA | 80 MHz | |||||
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Ein Angebot |
5,612
Verfügbar auf Lager
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Toshiba | Bipolar Transistors - BJT Trans LFreq -50V PNP PNP -0.15A | SMD/SMT | SOT-363-6 | HN2A01 | Dual | PNP | - 50 V | - 50 V | - 5 V | - 0.1 V | - 150 mA | 80 MHz | ||||
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siehe | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT ES6 PLN | SMD/SMT | ES6-6 | HN1A01 | PNP | - 50 V | - 50 V | - 5 V | - 0.1 V | - 150 mA | 80 MHz |
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