Bipolar Transistors - BJT - Inix Electronic

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Bild	Modell	Preis	Anzahl		Lager	Hersteller	Beschreibung	Mounting Style	Package / Case	Maximum Operating Temperature	Series	Configuration	Transistor Polarity	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	Collector- Base Voltage VCBO	Emitter- Base Voltage VEBO	Collector-Emitter Saturation Voltage	Maximum DC Collector Current	Gain Bandwidth Product fT
	HN1C01FU-GR,LF	1+ $0.1400 10+ $0.0924 100+ $0.0388 1000+ $0.0264 3000+ $0.0200	Ein Angebot	PDF RFQ	8,725 Verfügbar auf Lager	Toshiba	Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp	SMD/SMT	SOT-363-6	+ 125 C	HN1C01	Dual	NPN	50 V, 50 V	60 V, 60 V	5 V, 5 V	100 mV, 100 mV	150 mA, 150 mA	80 MHz, 80 MHz

HN1C01FU-GR,LF

HN1C01FU-GR,LF

Toshiba

Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp

Stock : 8,725

1+: $0.1400

10+: $0.0924

100+: $0.0388

1000+: $0.0264

3000+: $0.0200

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