Bipolar Transistors - BJT - Inix Electronic

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Bild	Modell	Preis	Anzahl		Lager	Hersteller	Beschreibung	Mounting Style	Package / Case	Maximum Operating Temperature	Series	Configuration	Transistor Polarity	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	Collector- Base Voltage VCBO	Emitter- Base Voltage VEBO	Collector-Emitter Saturation Voltage	Maximum DC Collector Current	Gain Bandwidth Product fT
	HN1C03F-B(TE85L,F)	1+ $0.1800 10+ $0.1052 100+ $0.0496 1000+ $0.0380 3000+ $0.0356	Ein Angebot	PDF RFQ	3,391 Verfügbar auf Lager	Toshiba	Bipolar Transistors - BJT Dual Trans NPN x 2 20V, 0.3A, SM6	SMD/SMT	SOT-26-6	+ 150 C	HN1C03	Dual	NPN	20 V	50 V	25 V	42 mV	300 mA	30 MHz
	HN1C03FU-B(TE85L,F	1+ $0.1920 10+ $0.1292 100+ $0.0720 1000+ $0.0524 3000+ $0.0452	Ein Angebot siehe	PDF RFQ		Toshiba	Bipolar Transistors - BJT Dual Trans NPN x 2 20V, 0.3A, US6	SMD/SMT	US-6	+ 150 C	HN1C03	Dual	NPN	20 V	50 V	25 V	42 mV	300 mA	30 MHz