Modell	Preis	Anzahl		Lager	Hersteller	Beschreibung	Mounting Style	Package / Case	Maximum Operating Temperature	Series	Configuration	Transistor Polarity	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	Collector- Base Voltage VCBO	Emitter- Base Voltage VEBO	Collector-Emitter Saturation Voltage	Maximum DC Collector Current	Gain Bandwidth Product fT
HN1C01FU-GR,LF	1+ $0.1400 10+ $0.0924 100+ $0.0388 1000+ $0.0264 3000+ $0.0200	Ein Angebot	PDF RFQ	8,725 Verfügbar auf Lager	Toshiba	Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp	SMD/SMT	SOT-363-6	+ 125 C	HN1C01	Dual	NPN	50 V, 50 V	60 V, 60 V	5 V, 5 V	100 mV, 100 mV	150 mA, 150 mA	80 MHz, 80 MHz
HN1C01F-GR(TE85L,F	1+ $0.1520 10+ $0.0864 100+ $0.0372 1000+ $0.0284 3000+ $0.0216	Ein Angebot	PDF RFQ	4,782 Verfügbar auf Lager	Toshiba	Bipolar Transistors - BJT Trans LFreq 50V NPN NPN 0.15A	SMD/SMT	SOT-26-6		HN1C01	Dual	NPN	50 V	60 V	5 V	0.1 V	150 mA	80 MHz
HN1C01FE-Y,LF	1+ $0.1240 10+ $0.0816 100+ $0.0340 1000+ $0.0232 4000+ $0.0176	Ein Angebot	PDF RFQ	11,750 Verfügbar auf Lager	Toshiba	Bipolar Transistors - BJT Transistor for Small Signal Amp			+ 150 C	HN1C01	Dual	NPN	50 V	60 V	5 V	100 mV	150 mA	80 MHz
HN1C01FYTE85LF	1+ $0.0840 10+ $0.0552 100+ $0.0228 1000+ $0.0156 3000+ $0.0156	Ein Angebot	PDF RFQ	8,542 Verfügbar auf Lager	Toshiba	Bipolar Transistors - BJT Trans LFreq 50V NPN NPN 0.15A	SMD/SMT	SOT-26-6		HN1C01	Dual	NPN	50 V	60 V	5 V	0.1 V	150 mA	80 MHz
HN1C01FE-GR,LF	1+ $0.1240 10+ $0.0816 100+ $0.0340 1000+ $0.0232 4000+ $0.0176	Ein Angebot siehe	PDF RFQ		Toshiba	Bipolar Transistors - BJT Transistor for Small Signal Amp				HN1C01