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Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Mounting Style | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Series | Transistor Polarity | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Emitter- Base Voltage VEBO | Collector-Emitter Saturation Voltage | Maximum DC Collector Current | |
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Ein Angebot |
347
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Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP GP | Through Hole | TO-126-3 | + 150 C | MJE3 | PNP | 40 V | 4 V | 1.7 V | 4 A | |||
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siehe | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT . . | MJE3 |
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