Bipolar Transistors - BJT - Inix Electronic

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Bild	Modell	Preis	Anzahl		Lager	Hersteller	Beschreibung	Mounting Style	Package / Case	Series	Configuration	Transistor Polarity	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	Collector- Base Voltage VCBO	Emitter- Base Voltage VEBO	Collector-Emitter Saturation Voltage	Maximum DC Collector Current	Gain Bandwidth Product fT
	HN4B04J(TE85L,F)	3000+ $0.0356 9000+ $0.0344	Ein Angebot siehe	PDF RFQ		Toshiba	Bipolar Transistors - BJT Trans LFreq -120V PNP PNP -0.1A	SMD/SMT	SOT-25-5	HN4B04	Dual	NPN, PNP	- 30 V, 30 V	- 35 V, 35 V	- 5 V, 5 V	- 0.1 V, 0.1 V	- 500 mA, 500 mA	200 MHz, 300 MHz

HN4B04J(TE85L,F)

Toshiba

Bipolar Transistors - BJT Trans LFreq -120V PNP PNP -0.1A

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