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12 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Product | Vf - Forward Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Series | Packaging | If - Forward Current | Configuration | Ir - Reverse Current | Vrrm - Repetitive Reverse Voltage | Ifsm - Forward Surge Current | Technology | |
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Ein Angebot |
1,069
Verfügbar auf Lager
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ROHM Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers DIODE: 15A 1200V | Schottky Silicon Carbide Diodes | 1.4 V | Through Hole | TO-220-2 | - 55 C | + 175 C | SCS2x | Tube | 15 A | Dual Common Cathode | 300 uA | 1.2 kV | 65 A | SiC | |||
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Ein Angebot |
280
Verfügbar auf Lager
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ROHM Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers SiC SBD 40A 1200V | Schottky Silicon Carbide Diodes | 1.4 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 175 C | SCS2x | Tube | 20 A, 40 A | Common Cathode | 400 uA | 1.2 kV | 83 A, 160 A | SiC | |||
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Ein Angebot |
262
Verfügbar auf Lager
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ROHM Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers DIODE: 30A 1200V | Schottky Silicon Carbide Diodes | 1.4 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 175 C | SCS2x | Tube | 15 A, 30 A | Dual Common Anode | 300 uA | 1.2 kV | 65 A, 130 A | SiC | |||
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Ein Angebot |
358
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC CHIP/DISCRETE | Schottky Silicon Carbide Diodes | 1.4 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 40 A | Dual Anode, Common Cathode | 23 uA | 1.2 kV | 290 A | SiC | ||||
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Ein Angebot |
2,758
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC CHIP/DISCRETE | Schottky Silicon Carbide Diodes | 1.4 V | SMD/SMT | TO-252-2 | - 55 C | + 175 C | Reel | 2 A | Single | 1.2 uA | 1.2 kV | 37 A | SiC | ||||
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Ein Angebot |
382
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC CHIP/DISCRETE | Schottky Silicon Carbide Diodes | 1.4 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 30 A | Dual Anode, Common Cathode | 17 uA | 1.2 kV | 240 A | SiC | ||||
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Ein Angebot |
281
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC CHIP/DISCRETE | Schottky Silicon Carbide Diodes | 1.4 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 20 A | Dual Anode, Common Cathode | 12 uA | 1.2 kV | 190 A | SiC | ||||
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Ein Angebot |
175
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC CHIP/DISCRETE | Schottky Silicon Carbide Diodes | 1.4 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 15 A | Dual Anode, Common Cathode | 8 uA | 1.2 kV | 170 A | SiC | ||||
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Ein Angebot |
420
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC CHIP/DISCRETE | Schottky Silicon Carbide Diodes | 1.4 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 10 A | Dual Anode, Common Cathode | 6 uA | 1.2 kV | 140 A | SiC | ||||
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Ein Angebot |
472
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC CHIP/DISCRETE | Schottky Silicon Carbide Diodes | 1.4 V | Through Hole | TO-220-2 | - 55 C | + 175 C | Tube | 2 A | Single | 1.2 uA | 1.2 kV | 37 A | SiC | ||||
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Ein Angebot |
2,000
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ROHM Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers DIODE: 5A 1200V | Schottky Silicon Carbide Diodes | 1.4 V | Through Hole | TO-220-2 | - 55 C | + 175 C | SCS2x | Tube | 5 A | Dual Common Cathode | 100 uA | 1.2 kV | 23 A | SiC | |||
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Ein Angebot |
574
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ROHM Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers SiC SBD 20A 1200V | Schottky Silicon Carbide Diodes | 1.4 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 175 C | SCS2x | Tube | 10 A, 20 A | Dual Common Anode | 200 uA | 1.2 kV | 44 A, 88 A | SiC |
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