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| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Product | Vf - Forward Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Series | Packaging | If - Forward Current | Ir - Reverse Current | Vrrm - Repetitive Reverse Voltage | Ifsm - Forward Surge Current | Technology | |
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Ein Angebot |
17
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GeneSiC Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A SiC Schottky Rectifier | Schottky Silicon Carbide Diodes | 1.9 V | Through Hole | TO-220 | - 55 C | + 175 C | GB10SLT12 | Tube | 10 A | 52 uA | 1200 V | 65 A | SiC | ||
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Ein Angebot |
105
Verfügbar auf Lager
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GeneSiC Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 1A SiC Schottky Rectifier | Schottky Silicon Carbide Diodes | 1.8 V | Through Hole | TO-220 | - 55 C | + 175 C | GB01SLT12 | Tube | 1 A | 4 uA | 1200 V | 10 A | SiC | ||
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Ein Angebot |
1
Verfügbar auf Lager
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GeneSiC Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 2A SiC Schottky Rectifier | Schottky Silicon Carbide Diodes | 1.8 V | Through Hole | TO-220 | - 55 C | + 175 C | GB02SLT12 | Tube | 2 A | 8 uA | 1200 V | 18 A | SiC | ||
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siehe | GeneSiC Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 5A SiC Schottky Rectifier | Schottky Silicon Carbide Diodes | 1.9 V | Through Hole | TO-220 | - 55 C | + 175 C | GB05SLT12 | Tube | 5 A | 26 uA | 1200 V | 32 A | SiC | |||
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siehe | GeneSiC Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A Schottky Rectifier | Schottky Diodes | 2.3 V | Through Hole | TO-220 | - 55 C | + 175 C | GA10SLT12 | Bulk | 10 A | 0.5 uA | 1200 V | Si |
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